SRM 2841 半導體薄膜：Alx鎵1-xAs外延層(Al摩爾分數(shù))x (接近0.20)

產(chǎn)品介紹

SRM 2841 半導體薄膜：AlxGa1-xAs外延層標準品旨在用作測量薄膜成分的分析方法的參考標準，例如電子微探針分析 (EMPA)、光致發(fā)光 (PL)、俄歇電子能譜 (AES) 和 X 射線光電子能譜（XPS）。 SRM 2841 的一個單元由 AlxGa1-xAs 外延層組成，在安裝的砷化鎵 (GaAs) 基板上生長經(jīng)過認證的 Al 摩爾分數(shù) x使用膠帶粘貼到不銹鋼圓盤上。每個單元都密封在含有氮氣氣氛的聚酯薄膜信封中。正確使用 SRM 作為比較標準取決于分析方法（參見“測量條件和程序”和 NIST 特別出版物 260-163 [1]）。

認證鋁值：

NIST 認證值是 NIST 對其準確性有最高置信度的值，因為 NIST [2] 已調(diào)查或解釋了所有已知或可疑的偏差來源。以摩爾分數(shù)表示的鋁 (Al) 的認證值在表 1 中提供。該認證值基于 Al 摩爾分數(shù)與薄膜 PL 光譜中峰強度能量之間已確認的相關性[ 3,4]。認證值的不確定度是擴展不確定度 (k = 2)，旨在接近 95% 的置信水平 [5]。對每個 SRM 單元進行了兩次額外的質(zhì)量檢查。一、分子在樣品生長過程中監(jiān)測束外延生長系統(tǒng)。為了作為 SRM 被接受，由每個單元的反射高能電子衍射的強度振蕩確定的 Al 摩爾分數(shù)必須在其擴展的不確定性范圍內(nèi)與認證值一致。其次，薄膜的自由載流子濃度必須在 1 × 1016 cm-3 和 5 × 1016 cm-3 之間。

儲存和搬運：

AlGaAs是一種穩(wěn)定的化合物，但薄膜在儲存和搬運過程中會受到表面污染和氧化。SRM 2841 半導體薄膜：AlxGa1-xAs外延層標準品應存放在無塵氮氣環(huán)境中或溫度低于50°C的真空下。在運輸?shù)椒治鱿到y(tǒng)或在分析系統(tǒng)中使用時偶然接觸空氣，直到接觸時間超過數(shù)千小時，才發(fā)現(xiàn)會產(chǎn)生嚴重污染。SRM應由金屬安裝盤用干凈的非金屬鑷子處理，不接觸半導體區(qū)域。半導體表面的顆粒污染物可以用去離子水或干燥的氮氣流去除，用戶必須確認沒有引入額外的污染物。用于將半導體安裝到不銹鋼盤上的膠帶可溶于異丙醇、丙酮和其他有機溶劑，使用這些溶劑可能會導致粘合劑或膠帶顆粒遷移到試樣表面。試樣表面的極端邊緣應排除在分析之外。

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